BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET，低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8，来自国际品牌英飞凌（Infineon）。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用，带您走进BTS3410G的“世界”！

BTS3410G场效应管特性

逻辑电平输入
自动重启热开关
符合ROHS标准
过载、短路、过电压、ESD保护
电流限制
模拟驱动

BTS3410G场效应管参数

Drain source voltage漏源电压：42V
on-state resistance导通状态电阻：200mΩ 
Nominal load current额定负载电流：1.3A
Clamping energy钳位能量：150mJ
Automobile quality standard汽车质量标准：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G场效应管应用

适用于开关或线性应用中的各种阻性、感性和容性负载；
μC兼容电源开关，适用于12V DC应用；
取代机电继电器和分立电路

想了解更多有关场效应晶体管BTS3410G信息，可向专业的供应商东沃电子索取规格书。关于BTS3410G这个料，每天都有许多新老客户向东沃电子DOWO询价、现货、交期等方面的问题。东沃电子自创办以来，秉承“一切以客户为中心”的经营理念，用心服务好每一位客户，满足客户的不同需求。为此，为客户配套成为了东沃电子的日常。由于渠道优势，东沃电子能够第一时间调到货、交期迅速、原装正品、价格美丽、现货库存，竭诚欢迎广大客户前来询BTS3410G场效应晶体管。咨询热线：136 7581 6901（微信同号）朱经理  

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。